AT45DB041E-SSHN2B-T vs AT45DB041D-SU 비교
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Renesas Electronics
AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas
AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | AT45DB041E-SSHN2B-T | AT45DB041D-SU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.40 | $0.92 |
| 메모리 유형 | Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) | DataFLASH NOR |
| 메모리 크기 | 4 Mbit (4,194,304 bits) | — |
| 메모리 구성 | 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) | 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard) |
| 인터페이스 유형 | SPI (Modes 0 and 3) / RapidS | — |
| 최대 클록 주파수 | 85 MHz | 66 MHz |
| Supply Voltage (Vcc) | 1.65 V to 3.6 V | — |
| 동작 온도 | -40 °C to +85 °C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) | 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | 256 bytes / 264 bytes | — |
| SRAM Buffers | 2 x 256/264 bytes (dual buffer) | — |
| Sector / Block Erase | Page erase as small as 256 bytes | — |
| Write Protection | Hardware, Software, and Absolute write protection | — |
| Power-on Reset | Yes (integrated) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Memory Format | — | FLASH |
| Density | — | 4 Mbit (4,325,376 bits) |
| 인터페이스 | — | SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3) |
| 공급 전압 | — | 2.7 V to 3.6 V |
| SRAM Data Buffers | — | 2 x 264 bytes |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Endurance | — | 100,000 program/erase cycles per page |
| Data Retention | — | 20 years minimum |
| Security Register | — | 128 bytes |
| Lead-Free | — | Yes |