AT45DB041E-SSHN2B-T vs AT45DB041D-SU 比較

詳細な並列比較: AT45DB041E-SSHN2B-T メーカー: Renesas Electronics および AT45DB041D-SU メーカー: Renesas Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T - 4Mbit SPI DataFlash, 85MHz, 8-SOIC | Renesas

AT45DB041E-SSHN2B-T ✓ 生産中
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AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ AT45DB041E-SSHN2B-T AT45DB041D-SU
ブランド Renesas Electronics Renesas Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.40 $0.92
メモリタイプ Non-volatile Flash (DataFlash / NOR) DataFLASH NOR
メモリサイズ 4 Mbit (4,194,304 bits) —
メモリ構成 2,048 pages x 256 bytes (or 264 bytes binary page mode) 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
インターフェースタイプ SPI (Modes 0 and 3) / RapidS —
最大クロック周波数 85 MHz 66 MHz
Supply Voltage (Vcc) 1.65 V to 3.6 V —
動作温度 -40 °C to +85 °C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
パッケージ 8-SOIC (SOIC-N 150 mil) 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Page Size 256 bytes / 264 bytes —
SRAM Buffers 2 x 256/264 bytes (dual buffer) —
Sector / Block Erase Page erase as small as 256 bytes —
Write Protection Hardware, Software, and Absolute write protection —
Power-on Reset Yes (integrated) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Memory Format — FLASH
Density — 4 Mbit (4,325,376 bits)
インターフェース — SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
電源電圧 — 2.7 V to 3.6 V
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

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