BSC016N06NSTATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC016N06NSTATMA1 por Infineon y IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC016N06NSTATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,92 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W 278 W
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Corriente de drenador pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

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