BSC016N06NSTATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC016N06NSTATMA1 por Infineon e IPT008N06NM5LFATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC016N06NSTATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W 278 W
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Corrente de dreno pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Fichas técnicas e recursos

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