BSC016N06NSTATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 비교
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Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 - 60V 454A 0.8mΩ N-Ch MOSFET HSOF-8 | Infineon
IPT008N06NM5LFATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSC016N06NSTATMA1 | IPT008N06NM5LFATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.92 | $5.40 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC016N06NSTATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 31 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 1.6 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 167 W | 278 W |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-HSOF-8 (single, flat-lead) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +150 C | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Series | OptiMOS | — |
| Part Family | — | OptiMOS 5 / Linear FET |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 454 A |
| 펄스 드레인 전류 | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID] |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V | — | 0.8 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 3.6 V (typ, 250 µA test) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS) |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | not_qualified (industrial-grade by default) |