BSC016N06NSTATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC016N06NSTATMA1 par Infineon et IPT008N06NM5LFATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC016N06NSTATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $5,40
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W 278 W
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Courant de drain pulsé — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Fiches techniques et ressources

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