BSC074N15NS5ATMA1 vs IRLU3410PBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon y IRLU3410PBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC074N15NS5ATMA1 IRLU3410PBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $0,36
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Encapsulado SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks I-PAK (TO-251AA), through-hole
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Body Diode Integrated —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU3410PBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — 12 A
Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 105 mOhm at VGS=10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic level
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)
HEXFET Generation — Fifth generation

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