BSC074N15NS5ATMA1 vs IRLU3410PBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC074N15NS5ATMA1 por Infineon e IRLU3410PBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC074N15NS5ATMA1 IRLU3410PBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $0,36
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Encapsulamento SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks I-PAK (TO-251AA), through-hole
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Body Diode Integrated —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU3410PBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — 12 A
Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 105 mOhm at VGS=10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic level
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)
HEXFET Generation — Fifth generation

Fichas técnicas e recursos

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