BSC074N15NS5ATMA1 vs IRLU3410PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC074N15NS5ATMA1 par Infineon et IRLU3410PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC074N15NS5ATMA1 IRLU3410PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $0,36
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 trench —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 114 A —
Power Dissition (PD) at TC=25°C 214 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TSON-8-3) with wettable flanks I-PAK (TO-251AA), through-hole
Type de montage Surface Mount Through Hole
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg total] —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Body Diode Integrated —
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU3410PBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — 12 A
Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 105 mOhm at VGS=10 V
Total Gate Charge (Qg) — 22.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — Logic level
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Avalanche Rated — Yes
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)
HEXFET Generation — Fifth generation

Fiches techniques et ressources

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