BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon y BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC100N10NSFGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,49 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Sin halógenos — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Hojas de datos y recursos

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