BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC100N10NSFGATMA1 メーカー: Infineon および BSC093N15NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC100N10NSFGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.49 $1.83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL level]
ハロゲンフリー — [DATA_NEEDED: halogen free status]

データシート&リソース

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