BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon e BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC100N10NSFGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,49 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Encapsulamento PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Status RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Livre de halogênio — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Fichas técnicas e recursos

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