BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC100N10NSFGATMA1 par Infineon et BSC093N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC100N10NSFGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,49 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 150V
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Boîtier PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Sans halogène — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Fiches techniques et ressources

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