BSC520N15NS3 vs CSD19534Q5A Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC520N15NS3 por Infineon y CSD19534Q5A por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC520N15NS3 CSD19534Q5A
Marca Infineon Texas Instruments
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $0,62
Technology OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET NexFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 21 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 84 A —
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 52 mOhm —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3 V —
Power Dissipation (TC=25C) 57 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1-260C-UNLIM
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
On-Resistance RDS(on) — 12.6 mΩ (typ per datasheet description)
Power Dissipation (Ta) — 3.2 W
Power Dissipation (Tc) — 63 W
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Recuento de pines — 8

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