BSC520N15NS3 vs CSD19534Q5A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC520N15NS3 par Infineon et CSD19534Q5A par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Texas Instruments
CSD19534Q5A CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments

CSD19534Q5A ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC520N15NS3 CSD19534Q5A
Marque Infineon Texas Instruments
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,62
Technology OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET NexFET (Power MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 21 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 84 A —
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 52 mOhm —
Gate-Source Voltage VGS max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3 V —
Power Dissipation (TC=25C) 57 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1-260C-UNLIM
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 44 A
On-Resistance RDS(on) — 12.6 mΩ (typ per datasheet description)
Power Dissipation (Ta) — 3.2 W
Power Dissipation (Tc) — 63 W
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V]
Nombre de broches — 8

Fiches techniques et ressources

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