BSC520N15NS3 vs CSD19534Q5A Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC520N15NS3 por Infineon e CSD19534Q5A por Texas Instruments. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Texas Instruments
CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments
CSD19534Q5A ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | BSC520N15NS3 | CSD19534Q5A |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Texas Instruments |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,71 | $0,62 |
| Technology | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET | NexFET (Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 21 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 84 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 52 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3 V | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 57 W | — |
| Temperatura de junção de operação | -55C to +150C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 | 1-260C-UNLIM |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Body Diode | Intrinsic, avalanche-rated | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| On-Resistance RDS(on) | — | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.2 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 63 W |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] |
| Contagem de pinos | — | 8 |