BSP315PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSP315PH6327XTSA1 por Infineon y BSS87H6327FTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSP315PH6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,31 | $0,18 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel enhancement-mode |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Encapsulado | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Recuento de pines | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |