BSP315PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP315PH6327XTSA1 par Infineon et BSS87H6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP315PH6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,18 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel enhancement-mode |
| Technology | OptiMOS (enhancement mode) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -1.17 A (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1 W (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate / Drain / Source) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |