BSP315PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 比較

詳細な並列比較: BSP315PH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS87H6327FTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSP315PH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.31 $0.18
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
パッケージ PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
ピン数 — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

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