BSP315PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок BSP315PH6327XTSA1 от Infineon и BSS87H6327FTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Активен
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр BSP315PH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,31 $0,18
FET Type P-Channel N-Channel enhancement-mode
Technology OptiMOS (enhancement mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -1.17 A (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Диапазон рабочих температур -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
Корпус PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (per datasheet) —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Число выводов — 3 (Gate / Drain / Source)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Статус RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену