BSP92PH6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP92PH6327XTSA1 por Infineon y BSP129H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP92PH6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,31 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) -55 C to +150 C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Recuento de pines 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

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