BSP92PH6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP92PH6327XTSA1 par Infineon et BSP129H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP92PH6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,31 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) -55 C to +150 C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Nombre de broches 4 (Gate, Drain, Drain, Source) —
FET Type — N-Channel, Depletion Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
On-Resistance RDS(on) max — 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Fiches techniques et ressources

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