BSR315PH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSR315PH6327XTSA1 por Infineon y BSS214NWH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSR315PH6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,22 | $0,15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR315PH6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS P-Channel | OptiMOS |
| FET Type | P-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -620 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max VGS) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 176 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 6 nC @ 10 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Encapsulado | PG-SC59-3 / SOT-23-3 | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 3 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product family marking) | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Temperatura de funcionamiento | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead-Free | — | Yes |