BSR315PH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSR315PH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS214NWH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 - 60V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

BSR315PH6327XTSA1 ✓ 활성
Infineon
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 - 20V N-Ch 1.5A MOSFET SOT-323 | Infineon

BSS214NWH6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.22 $0.15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR315PH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1
Series OptiMOS P-Channel OptiMOS
FET Type P-Channel, Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -620 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 800 mOhm @ -620 mA, -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max VGS) —
Input Capacitance (Ciss) 176 pF @ 25 V —
Total Gate Charge (Qg) 6 nC @ 10 V —
동작 온도 범위 -55 C to +150 C (TJ) —
패키지 PG-SC59-3 / SOT-23-3 PG-SOT323 (SOT-323-3)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
Packaging Tape & Reel (TR) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (per Infineon product family marking) —
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C — 1.5 A
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 250 mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) — 2.5 V, 4.5 V
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C — 500 mW
동작 온도 — -55C to +150C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead-Free — Yes

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