BSR315PH6327XTSA1 vs BSS214NWH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSR315PH6327XTSA1 par Infineon et BSS214NWH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSR315PH6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,22 | $0,15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR315PH6327XTSA1 | BSS214NWH6327XTSA1 |
| Series | OptiMOS P-Channel | OptiMOS |
| FET Type | P-Channel, Enhancement Mode | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -620 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 800 mOhm @ -620 mA, -10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max VGS) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 176 pF @ 25 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 6 nC @ 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Boîtier | PG-SC59-3 / SOT-23-3 | PG-SOT323 (SOT-323-3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 | — |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon product family marking) | — |
| Technology | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 1.5 A |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 250 mOhm |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | — | 2.5 V, 4.5 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C | — | 500 mW |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead-Free | — | Yes |