BSR802NL6327HTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSR802NL6327HTSA1 por Infineon y BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSR802NL6327HTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS™ low-voltage
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulado PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Qualification Automotive —
Estado RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Recuento de pines 3 6
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Nivel MSL — 1

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización