BSR802NL6327HTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSR802NL6327HTSA1 por Infineon e BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSR802NL6327HTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS™ low-voltage
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Encapsulamento PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55C to +150C —
Qualification Automotive —
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Contagem de pinos 3 6
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Faixa de temperatura de operação — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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