BSR802NL6327HTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 비교
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Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSR802NL6327HTSA1 | BSD235CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.15 | $0.12 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSR802NL6327HTSA1 | — |
| Technology | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) | OptiMOS™ low-voltage |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 3.7 A (Ta=25C) | — |
| Power Dissipation (PD) max | 500 mW (Ta=25C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | 23 mOhm @ VGS=4.5 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| 패키지 | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | — |
| Qualification | Automotive | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (lead-free) |
| 핀 수 | 3 | 6 |
| Part Family | — | OptiMOS™ |
| Configuration | — | N+P complementary dual MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 950 mA |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 530 mA (negative polarity) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| Package Type | — | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Polarity | — | N-channel + P-channel |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL 레벨 | — | 1 |