BSR802NL6327HTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSR802NL6327HTSA1 par Infineon et BSD235CH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSR802NL6327HTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS™ low-voltage
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Qualification Automotive —
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Nombre de broches 3 6
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Niveau MSL — 1

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