BSS169H6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS169H6327XTSA1 por Infineon y BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS169H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,21
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

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