BSS169H6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS169H6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSP88H6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 - 100V N-Ch Depletion MOSFET 170mA | Infineon

BSS169H6327XTSA1 ✓ 生産中
Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS169H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.15 $0.21
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
パッケージ PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
動作温度 — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼