BSS169H6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS169H6327XTSA1 par Infineon et BSP88H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS169H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,21
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fiches techniques et ressources

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