BSS169H6327XTSA1 vs BSP88H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS169H6327XTSA1 por Infineon e BSP88H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS169H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,15 $0,21
FET Type N-Channel Depletion Mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) 170 mA (Ta) 350 mA at Ta=25 C
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) 1.8 W at Ta=25 C
RDS(on) Maximum 6 Ohm at VGS=0 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Pinch-off approx. -3.5 V (typical) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range] —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Technology Depletion-mode vertical DMOS SIPMOS (planar enhancement mode)
Drain Current at 25C 170 mA continuous —
Typical RDS(on) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value] —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 240 V
On-State Resistance (RDS(on)) — 6 ohm typical at VGS=10 V
Configuration — Single
Temperatura de operação — -55 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
RoHS Compliance — Compliant
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Drain Tab Connection — SOT-223 tab is drain

Fichas técnicas e recursos

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