BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon y 2N7002H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,11 $0,08
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Encapsulado / Carcasa PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Encapsulado — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

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