BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon e 2N7002H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,11 $0,08
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Encapsulamento / Caixa PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Encapsulamento — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação