BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSS308PEH6327XTSA1 제조: Infineon 및 2N7002H6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.11 $0.08
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
트랜지스터 유형 P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
동작 온도 범위 -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
패키지 / 케이스 PG-SOT23 (SOT-23-3) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
패키지 — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

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