BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Vergleich
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Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | BSS308PEH6327XTSA1 | 2N7002H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | Infineon |
| Kategorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,11 | $0,08 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| Transistortyp | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | 300 mA (Ta) |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | 500 mW (Ta) |
| Betriebstemperaturbereich | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (Tj) |
| Gehäuse / Bauform | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Anzahl der Pins | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | Industrial / Commercial Grade |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Technology | — | OptiMOS (Planar) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 3 ohm max @ VGS = 10 V |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Gehäuse | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| MSL-Level | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free | — | Yes |