BSS308PEH6327XTSA1 vs 2N7002H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon et 2N7002H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS308PEH6327XTSA1 2N7002H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,11 $0,08
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Type de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 300 mA (Ta)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C -55C to +150C (Tj)
Boîtier / Format PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive Industrial / Commercial Grade
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Technology — OptiMOS (Planar)
On-State Resistance (RDS(on)) — 3 ohm max @ VGS = 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Boîtier — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Channel Mode — Enhancement
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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