BSS606NH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSS606NH6327XTSA1 por Infineon y BSL606SNH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSS606NH6327XTSA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,13 | $0,19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Small Signal/Power | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 60 mΩ max @ VGS=10 V | — |
| Encapsulado | PG-SOT-89 (TO-243AA) | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55°C to +150°C | — |
| Qualification | Automotive (per family page) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nivel MSL | 1 (per SOT-89 family standard) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Reel Quantity | 1000 pcs | — |
| Technology | — | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +150C (Tj) |