BSS606NH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSS606NH6327XTSA1 par Infineon et BSL606SNH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSS606NH6327XTSA1 | BSL606SNH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS Small Signal/Power | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 1 W (Ta) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 60 mΩ max @ VGS=10 V | — |
| Boîtier | PG-SOT-89 (TO-243AA) | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Température de jonction en fonctionnement | -55°C to +150°C | — |
| Qualification | Automotive (per family page) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 (per SOT-89 family standard) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Reel Quantity | 1000 pcs | — |
| Technology | — | OptiMOS3 trench MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 4.5 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V (max) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 5.6 nC (max) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (Tj) |