BSS606NH6327XTSA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS606NH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSL606SNH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 - 60V 3.2A N-Ch MOSFET, SOT-89 | Infineon

BSS606NH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS606NH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.13 $0.19
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS Small Signal/Power —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 3.2 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 1 W (Ta) —
On-Resistance (RDS(on)) 60 mΩ max @ VGS=10 V —
パッケージ PG-SOT-89 (TO-243AA) PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
動作接合温度 -55°C to +150°C —
Qualification Automotive (per family page) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS ステータス Compliant Compliant (Pb-free plating)
Lead-Free Yes —
MSLレベル 1 (per SOT-89 family standard) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Reel Quantity 1000 pcs —
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
動作温度範囲 — -55C to +150C (Tj)

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