BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS806NEH6327XTSA1 por Infineon y BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS806NEH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,14 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) —
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) 3
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction, typical)
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes (Infineon 'green' package)

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