BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 比較
詳細な並列比較: BSS806NEH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS126H6327XTSA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSS806NEH6327XTSA1 | BSS126H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.14 | $0.32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS806NEH6327XTSA1 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V (maximum) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-Resistance RDS(on) | 57 mOhm (maximum) | — |
| パッケージ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| ピン数 | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Yes (compliant) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| 動作温度範囲 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (junction, typical) |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 mA |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 500 mW |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 500 ohm (typical for depletion-mode) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max/min] |
| Technology | — | SIPMOS (DMOS) |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Depletion (normally-on at VGS = 0) |
| MSLレベル | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes (Infineon 'green' package) |