BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS806NEH6327XTSA1 por Infineon e BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro BSS806NEH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,14 $0,32
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) —
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) 3
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction, typical)
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes (Infineon 'green' package)

Fichas técnicas e recursos

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