BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSS806NEH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSS126H6327XTSA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSS806NEH6327XTSA1 | BSS126H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.14 | $0.32 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS806NEH6327XTSA1 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V (maximum) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-Resistance RDS(on) | 57 mOhm (maximum) | — |
| 패키지 | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Yes (compliant) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (junction, typical) |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 mA |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 500 mW |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 500 ohm (typical for depletion-mode) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max/min] |
| Technology | — | SIPMOS (DMOS) |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Depletion (normally-on at VGS = 0) |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes (Infineon 'green' package) |