BSS806NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS806NH6327XTSA1 por Infineon y BSS214NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS806NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,19 $0,09
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
Encapsulado PG-SOT23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

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