BSS806NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSS806NH6327XTSA1 от Infineon и BSS214NH6327XTSA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon
BSS806NH6327XTSA1 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | BSS806NH6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,19 | $0,09 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Корпус | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Статус RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |