BSS806NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSS806NH6327XTSA1 por Infineon e BSS214NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSS806NH6327XTSA1 | BSS214NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,19 | $0,09 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 2 (trench MOSFET) | OptiMOS 2 (planar N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 2.3 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | 57 mΩ | 250 mOhm at VGS = 4.5 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.8 V rated (logic level) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] |
| Gate Drive (recommended VGS) | 1.8 V to 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Power Dissipation (PD, Ta) | 500 mW | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +150 C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Encapsulamento | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) | SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Status RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 1.5 A (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±12 V (recommended) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (Automotive) |
| Lead Finish | — | Pb-free lead plating (matte tin) |
| ESD Protection | — | Yes (gate ESD diode) |