BSS806NH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: BSS806NH6327XTSA1 メーカー: Infineon および BSS214NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS806NH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon

BSS806NH6327XTSA1 - 20V N-Ch OptiMOS 2 MOSFET, SOT-23 | Infineon

BSS806NH6327XTSA1 ✓ 生産中
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BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ BSS806NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.19 $0.09
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 2 (trench MOSFET) OptiMOS 2 (planar N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 2.3 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 57 mΩ 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.8 V rated (logic level) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate Drive (recommended VGS) 1.8 V to 10 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] —
Power Dissipation (PD, Ta) 500 mW —
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) -55C to +150C (junction)
パッケージ PG-SOT23-3 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant (Pb-free plating) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Continuous Drain Current (ID) — 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

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