BSZ018NE2LSATMA1 vs IPD90P04P405ATMA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSZ018NE2LSATMA1 por Infineon y IPD90P04P405ATMA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSZ018NE2LSATMA1 IPD90P04P405ATMA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,31 $0,69
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Technology N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V -40 V
Continuous Drain Current (TA) 23 A —
Continuous Drain Current (TC) 40 A —
Power Dissipation (TA) 2.1 W —
Power Dissipation (TC) 69 W —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at VGS=10V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55 °C to +175 °C (Tj)
Encapsulado PG-TSDSON-8-FL (8-pin TSDSON with exposed pad) PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — -90 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD, Tc) — 125 W
On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V — 4.7 mΩ (typical)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Process Technology — OptiMOS-P2 (trench + field plate)

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